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关于半导体工艺这点你要知道(4)蚀刻工艺

大家好!这次是第4道工序!是蚀刻(Etching)工序,我们一起学习吧~

蚀刻(Etching)工序?.

还记得之前第3课光刻(PhotoLithography)工程中“照相~”的表达吗?在这个蚀刻(Etching)过程中,我们将消除底图中不必要的部分,即只保留电路图案中必要的部分,而将不必要的部分削掉。更详细地说,如果在光刻“PhotoLithography”工序中形成了光刻胶“PhotoResist”,那么在蚀刻工序中,就是使用液体或气体(etchant)进行腐蚀,消除多余部分的工作。(其中etchant是进行腐蚀的物质的统称)这种蚀刻技术是制作铜版画的美术中经常使用的方法。19世纪画家皮萨罗(CamillePissaro)和德加(EdgarDegas)也利用蚀刻制作了很多精致细致的线。Skylake-U Based Memory Tester (DRAM Test MB)。惠州芯片测试导电胶

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什么是探针(又名Pogo针或弹簧探针)?

-Pogo Pins 的基本结构是什么?

通用pogo销由3个部分组成:桶、柱塞和弹簧。为了更好的稳定性,Pogo引脚通常插入外壳中,但在许多情况下,这些引脚只是直接焊接在PCB上。通常,pogo销的柱塞与一个金垫接触,称为“接触垫”或“垫”,以关闭电路。桶焊接在PCB上或附有电线。与扁平弹簧连接器相比,Pogo引脚通常被认为是更耐用的连接器类型,因为引脚不会划伤接触垫的表面。

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关于半导体工艺(一)晶片工艺,这点你要知道:

2、晶片制造工艺

1)铸锭(Ingot)硅是从沙子中提取的。要将其用作半导体材料,必须经过精炼。是提高纯度的过程。将高纯度提纯的硅(Si)溶液放入铸件中旋转,就形成了硅柱。我们称之为铸锭。可利用硅晶体生长技术Czochralski法或FloatingZone法等获得该锭。处理数纳米(nm)微细工艺的半导体用铸锭,在硅铸锭中也使用超高纯度的铸锭。

2)切割铸锭(WaferSlicing)去除铸锭末端,用金刚石锯切割成厚度均匀的薄片(Wafer)。晶片的直径决定了晶片的大小。在可以使用的程度上切割得越薄,制造费用就越低,所以近切割得越来越薄。直径的大小也变大是大势所趋。这也是因为面积越大,制造的半导体芯片就越多。

3)磨削晶片表面(Lapping,Polishing)通过1),2)过程制成的晶片表面非常粗糙,有很多凹凸不平的瑕疵,因此在实际半导体工程中很难使用。因此,需要对表面进行研磨,使其光滑。通过研磨液和研磨设备将晶片表面磨得光滑。

关于半导体工艺,这点你要知道:(2)氧化(Oxidation)工艺

3、除此之外,影响氧化膜生长速度的半导体尺寸越来越小,而氧化膜作为保护膜的作用是必要的,因此氧化膜的厚度是决定半导体尺寸的重要因素。因此,为了减小氧化膜的厚度,需要协调氧化过程中的各种变量。我们在第2节中讨论过的湿法氧化,干法氧化也是其中变量的一种种类,除此之外,晶片的晶体结构,Dummy Wafer(为了减少正面接触气体或稍后接触气体部分的氧化程度差异,可以利用Dummy Wafer作为晶片来调整气体的均匀度)、掺杂浓度、表面缺陷、压力、温度和时间等因素都可能影响氧化膜的厚度。

和我一起来了解一下氧化膜的作用,氧化膜是如何形成的,以及这些氧化膜的形成速度受哪些东西的影响。半导体八大工序中的两个工序已经完成;下节我们将讨论在半导体上制作电路图案的蚀刻工艺。深圳市革恩半导体有限公司为专业从事存储器件测试解决方案公司。

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关于半导体工艺这点你要知道(4)蚀刻工艺

为什么要做好蚀刻(Etching)?!

2#蚀刻速率(Etch Rate)

蚀刻速率表示一段时间内膜的去除量。等离子体态的原子和离子的数量,或者这些原子和离子所具有的能量,决定了蚀刻的快慢。当然,如果量大,能量高,蚀刻速度就会增加。所以你可以调整这些数量和能量,以适应合适的蚀刻速度。此外还有根据膜质,将不同的蚀刻量按比例表示的选择性(Selectivity)等考虑因素,所有这些细节都在蚀刻(Etching)工程组中进行着很多努力,以更加精细的方式进行。 大家对蚀刻(Etching)工序理解了吗?等离子体,均匀度,蚀刻速度,下回见!深圳市革恩半导体有限公司与韩企对接合作十多年,业务领域及相关合作共赢。江苏导电胶有哪些

关于半导体工艺这点你要知道 (5)扩散(Diffusion) 工艺。惠州芯片测试导电胶

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在1999年开始引入了可以在1瓦电力输入下连续使用的商业品级LED。这些LED都以特大的半导体芯片来处理高电能输入的问题,而那半导体芯片都是固定在金属铁片上,以助散热。在2002年,在市场上开始有5瓦 。

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